但作为iv族元素，杂质在gan中具有两性特征，既可替代n原子，也可替代ga原子，或者与其他杂质和缺陷形成复合体，使gan中的掺杂机理非常复杂，成为近年来氮化物半导体电子材料和器件领域关注的焦点问题之一。

        所以说，确定杂质在gan中的晶格位置是一个相当亟待解决的难题。

        燕大的半导体研究中心作为gan宽禁带半导体领域国内知名研究机构之一，理所当然的向该难题发起了冲击。

        但结果……

        就如同刚刚顾律所见到的那样，测量结果失败，该技术难题依旧存在。

        让张主任和负责这部分的方教授唉声叹气。

        顾律听后，摸着下巴，一直沉默不语，在沉思着什么。

        足足几十秒后。

        顾律视线直视着张主任，苦笑一下开口，“张主任，要是我说，这个难题我可以解决，你相信吗？”

        张主任很显然的懵逼了一下。

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