“哦。”方教授把手中的文件夹递给张主任，沉声开口，“张主任，最新一次的测量结果出来了。”

        张主任结果文件夹，打开后扫了一眼，眉头紧紧皱起，“还是不行吗？”

        方教授苦笑着摇摇头，“还是不行，我们还是没有找到证据证明，杂质在gan中的晶格位置。”

        “唉！”张主任听后长叹口气，“这么久的努力，原来都是做了无用功啊！”

        顾律在一旁看着长吁短叹的两人，犹豫了一下开口问道，“张主任，你们是遇到了什么难题了吗？”

        张主任没有隐瞒。

        “准确的说，不是我们研究所遇到了什么难题，而是整个宽禁带半导体领域都遇到了一个难题。”

        张主任开始为顾律讲述起这个难题的详细情况。

        在目前的半导体领域，掺杂调控是氮化物半导体材料和器件发展的关键科学和技术问题。

        通过掺杂获得半绝缘gan是当前研制gan基电子器件的主流方法。

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