张主任倒是听了后挺乐呵的，“这小子……”

        “行了，我们直接去实验室那边看看吧，顺便教教你这位学生怎么操作那些设备。”张主任提议。

        顾律没意见，“行，我们过去。”

        三人换上深棕色的实验服，戴上一次性口罩，在张主任的带领下推开宽禁带半导体实验室的门走进去。

        宽禁带半导体是自第一代元素半导体材料（si）和第二代化合物半导体材料（、p等）之后，发展起来的第三代半导体材料。

        该类半导体之所以被称之为宽禁带半导体，是因为其禁带宽度较宽。

        第一第二代半导体的禁带宽度一般在10左右。

        但宽禁带半导体的禁带宽度却是大于2ev，这类材料主要包括si（碳化硅）、-bn（立方氮化硼）、gan（氮化镓、）aln（氮化铝）、nse（硒化锌）以及金刚石等。

        禁带宽度对于半导体器件性能有着举足轻重的影响，它直接决定着器件的耐压和最高工作温度。

        禁带宽度越宽，耐压和耐高温的性能越强。

        因此，在诸多性能上，第三代的宽紧带半导体是要优于第一代和第二代的。

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